Tecnología de la serie E de cuarta generación
Baja figura de mérito (FOM) Ron x Qg
Capacitancia efectiva baja (Co (er))
Reducción de pérdidas de conmutación y conducción.
Polaridad de transistor: N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente): 600 V
Id: corriente de drenaje continuo: 14 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia): 80 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente): - 30 V, + 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente): 5 V
Temperatura operativa mínima: - 55 ºC
Temperatura operativa máxima: + 150 ºC
Pd (disipación de potencia): 35 W
Cápsula: TO-220FP-3