Tipo de transistor N-MOSFET Polarización unipolar
Tipo de transistor; N-MOSFET Tecnología: HEXFET® Polarización: unipolar Tensión drenaje-fuente: 100V Corriente del drenaje: 130A Poder disipado: 370W Carcasa : TO220 Tensión puerta-fuente: ±20V Resistencia en estado de transferencia: 4.5mO Carga de puerta: 150nC