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Ficha técnica
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: HEXFET®
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 340A
Potencia a disipar: 380W
Tensión puerta-fuente: ±20V Resistencia en estado de transferencia:1.75m ohmios
Carcasa: TO220