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Doble transistor mosfet, canal N
Tipo de transistor: N-MOSFET x2
Tecnología: HEXFET®
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 50V
Corriente del drenaje: 3A
Poder disipado: 2W
Capsula: SO8
Clase de canal: enriquecido
Disponible
