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Ficha técnica
Tipo de transistor: N-MOSFET
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 4A
Poder disipado: 43W
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de transferencia: 0.54 ohmios
Encapsulado: TO220
Disponible
