Capsula: TO-220
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: HEXFET®
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 55V
Corriente del drenaje: 80A
Poder disipado: 200W
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de transferencia: 8mΩ
Carga de puerta: 146nC