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El FLK022WG es un FET de arseniuro de galio de proposito general para aplicaciones en la banda KU.
Tiene unas propiedades en gancia, eficiecia y potencia suerior a otros FET.
Drain-Source Voltage: 15v
Gate-Source Votage: -5v
Total Power Dissipation: 1,875w
Storage Temerature: -65 TO +175ºC
Channel Temerature: 175ºC
Saturated Drain Current: 100mA
Transconductance: 50mS
Pinch-off Voltage: -2v
Gate Source Breakdown Voltage: -5v
Output Power at 1dB G.C.P: 24dBm
Power Gain at 1dB G.C.P: 7 dB
Power-added Efficiency: 32%
Thermal Resistance: 40ºC/W
