Tipo FET Canal N Tecnología MOSFET (óxido de metal)
Voltaje drenaje-fuente (Vdss) 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC 9.5 A (Tc)
Vgs(th) (máx.): en Id 4 V a 1 mA
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 530 pF a 25 V
Disipación de potencia (máx.) 75 W (Tc)
Rds activado (máx.) según Id, Vgs a 25 °C 400 mOhm a 6 A, 10 V
Temperatura de operación -55°C ~ 150°C (TJ)
Encapsulado: TO-220