Tecnología MOSFET tipo FET N Channel (óxido metálico)
Tensión drenaje-fuente (Vdss)= 200 V
Corriente: consumo continuo (Id) a 25 ºC= 21 A (Tc)
Potencia disipada (máx) 125 W (Tc)
Rds on (max) = 0,13 Ohm, Vgs = 10 V, Id = 13,5 A
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Encapsulado: TO-220