Doble transistor mosfet complementario, canal N y canal P
Tipo de transistor: N/P-MOSFET
Polarización: unipolar
Clase de transistor: par complementario
Tensión drenaje-fuente: 30/-30V
Corriente del drenaje: 5/-4.5A
Poder disipado: 1.3W
Capsula: SO8
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de transferencia: 30/41mΩ
Carga de puerta: 2.55/4.6nC
Clase de canal: enriquecido