Transistor IGBT
Fabricante: IXYS
Tipo de transistor: IGBT
Tecnología: GenX3™, Planar, XPT™
Tensión colector-emisor: 900V
Corriente de colector: 60A
Poder disipado: 750W
Encapsulado: TO247
Tensión entrada - emisor: ±20V
Corriente de colector en impulso: 310A
Carga de puerta: 107nC
Tiempo de conexión: 104ns
Tiempo de desconexión: 268ns