Infineon Technologies K75T60 - IGBT TrenchStop - 80 A - 600 V - TO-247 - IKW75N60T

SMITIKW75N60T

Ficha técnica

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Identificación

Código EE SMITIKW75N60T

Marca

Infineon

Modelo K75T60

Código Fabricante IKW75N60T

EAN13

Características

Este es un transistor IGBT de Infineon con tecnología TrenchStop™

Los valores nominales de tensión de colector-emisor de esta tecnología están de 600 y 650 V. La gama incluye dispositivos con un diodo anti-paralelo de recuperación rápida y alta velocidad integrado.

Especificaciones

VCE muy bajo (sat): 1,5 V (típico)
Temperatura máxima de unión: 175°C
Cortocircuito con tiempo de espera: 5 µs
Coeficiente de temperatura positivo en VCE(sat)
EMI baja
Corriente Máxima Continua del Colector: 80 A
Tensión Máxima Colector-Emisor: 600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor: ±20V
Disipación de Potencia Máxima: 428 W
Encapsulado: TO-247

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TOTAL

Infineon Technologies K75T60 - IGBT TrenchStop - 80 A - 600 V - TO-247 - IKW75N60T

SMITIKW75N60T

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