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IGBT HGTP20N60A4

Ref. SMITHGTP20N60A

IGBT HGTP20N60A4
Disponible Disponible
Stock
Cantidad
15
Características
IGBT

Tipo de transistor: IGBT

DC Collector Current: 80A (25ºC)

Collector Emitter Voltage Vces: 2,6V

Power Dissipation Pd: 195W

Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V

Operating Temperature Range: -55 °C a +150 °C

Transistor Case Style: TO-3PN

Current Ic Continuous a Max: 80A

Current Temperature: 25°C

Power Dissipation Max: 195W

Voltage Vces: 600V

 
Especificaciones
Encapsulado: TO-220

 

Ficha técnica

Precio
I.V.A INCLUIDO
4.05
PRECIO ESPECIAL 3.44€ (Para cantidades superiores a 10 uds.)
PRECIO ESPECIAL 2.84€ (Para cantidades superiores a 50 uds.)
Wikipedia

Semiconductor:

IGBT:

 
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IGBT HGTP20N60A4 ("SGH80N60UFD")
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