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Ficha técnica
IGBT
Tipo de transistor: IGBT
DC Collector Current: 40A (25ºC)
Collector Emitter Voltage Vces: 2,7V
Power Dissipation Pd: 290W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V
Operating Temperature Range: -55 °C a +150 °C
Encapsulado: TO-220