Transistor IGBT
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor: IGBT
Tensión colector-emisor: 650V
Corriente de colector: 5A
Poder disipado: 10W
Encapsulado: TO220F
Tensión entrada-emisor: ±30V
Corriente de colector en impulso: 15A
Carga de puerta: 14nC
Tiempo de conexión: 21ns
Tiempo de desconexión: 157ns
Tensión de saturación colector-emisor: 1.87V
Suministro de energía de apagado: 0.12mJ
Suministro de energia de encendido: 0.09mJ