Estos diodos epitaxiales planos de silicio están diseñados para aplicaciones en equipos multicanal que trabajan a muy alta velocidad
Están sellados herméticamente en encapsulados TO5 o TO18
La excelente conductividad térmica de los diodos permite operar hasta 400mW
Temperatura de almacenamiento: -55ºC a +200ºC
Temperatura máxima de funcionamiento: +175ºC
Disipación total a 25ºC: 0,4W
Tensión máxima A 25ºC: 40V
Intensidad en continua maxima: 0,3A
Corriente rectificada media: 0,2A
Corriente de impulso: 1A