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La oblea de dióxido de silicio, también conocida como oblea de óxido térmico, se produce a temperaturas elevadas.
El óxido térmico se suele cultivar en un horno tubular horizontal, a una temperatura que oscila entre 900 °C y 1200 °C.
El óxido térmico es un tipo de capa de óxido "crecida" que, en comparación con la capa de óxido depositada mediante CVD, presenta una mayor uniformidad y una mayor rigidez dieléctrica, lo que lo convierte en una excelente capa dieléctrica como aislante.
En la mayoría de los dispositivos basados en silicio, la capa de óxido térmico desempeña un papel importante al acondicionar la superficie del silicio, actuando como barrera de dopaje y como dieléctrico superficial.
Permite una excelente uniformidad de espesor y pureza.
Por lo tanto, este es el método preferido para producir capas delgadas de óxido de silicio de alta calidad.
Las capas de óxido más gruesas se producen normalmente mediante oxidación húmeda, donde la velocidad de crecimiento aumenta significativamente.
