Technologie de la série E de 4e génération
Faible figure de mérite (FOM) Ron x Qg
Faible capacité effective (Co(er))
Réduction des pertes de commutation et de conduction
Polarité du transistor : canal N
Vds (Tension de séparation drain-source) : 600 V
Id : courant de drain continu : 14 A
Rds on (source drain en résistance) : 80 mOhms
Vgs (tension grille-source) : - 30 V, + 30 V
Vgs th (tension de seuil grille-source) : 5 V
Température minimale de fonctionnement : - 55 ºC
Température maximale de fonctionnement : + 150 ºC
Pd (puissance dissipée) : 35 W
Capsule : TO-220FP-3