Gélule : TO-220
Fabricant : INFINEON TECHNOLOGIES
Type de transistor : N-MOSFET
Technologie : HEXFET®
Polarisation : unipolaire
Tension drain-source : 55 V
Courant de drain : 80 A
Puissance dissipée : 200 W
Tension gate- source : ±20 V
Résistance de l'état de transfert : 8 mΩ
Charge de grille : 146 nC