Transistor double mosfet, canal N
Type de transistor : N-MOSFET x2
Technologie : PowerTrench®
Polarisation : unipolaire
Tension drain-source : 40 V
Courant de drain : 6 A
Dissipation de puissance : 2 W
Capsule : SO8
Grille de tension- source : ±20 V
Résistance de l'état de transfert : 43 mΩ
Charge de grille : 11 nC
Classe de canal : enrichi