Technologie MOSFET canal N type FET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200 V
Courant : consommation continue (Id) à 25 ºC 9,5 A (Tc)
Vgs(th) (max.) : à Id 4 V à 1 mA
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 530 pF à 25 V
Puissance dissipée (max.) 75 W (Tc)
Rds on (max.) selon Id, Vgs à 25 °C 400 mOhm à 6 A, 10 V
Température de fonctionnement -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Boîtier: TO-220