Technologie MOSFET de type FET canal N (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)= 200 V
Courant : consommation continue (Id) à 25 ºC= 21 A (Tc)
Puissance dissipée (max) 125 W (Tc)
Rds on (max) = 0,13 Ohm, Vgs = 10 V, Id = 13,5 A
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier: TO-220