Double transistor mosfet complémentaire, canal N et canal P
Type de transistor : N/P-MOSFET
Polarisation : unipolaire
Classe de transistor : paire complémentaire
Tension drain-source : 30/-30 V
Courant de drain : 5/-4,5 A
Puissance dissipée : 1,3 W
Capsule : SO8
Tension grille-source : ±20 V
Résistance de l'état de transfert : 30/41 mΩ
Charge de grille : 2,55/4,6 nC
Classe de canal : enrichie