Mot de passe oublié?
PANIER
ARTICLES 0  
TOTAL 0.00€  
 
C'est dans Home | Produits | Semi-conducteurs | IGBT | IGBT HGTP20N60A4

IGBT HGTP20N60A4

Ref. SMITHGTP20N60A

IGBT HGTP20N60A4
Disponible Disponible
Stock
Quantité
15
Caractéristiques
IGBT

Type transistor: IGBT

DC Collector Current: 80A (25ºC)

Collector Emitter Voltage Vces: 2,6V

Power Dissipation Pd: 195W

Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V

Operating Temperature Range: -55 °C a +150 °C

Transistor Case Style: TO-3PN

Current Ic Continuous a Max: 80A

Current Temperature: 25°C

Power Dissipation Max: 195W

Voltage Vces: 600V

 
Spécifications
Boîtier: TO-220

 

Fiche technique

Prix
TVA INCLUSE
4.05
PRIX SPÉCIAL 3.44€ (Pour de quantités supérieures á 10 unités)
PRIX SPÉCIAL 2.84€ (Pour de quantités supérieures á 50 unités)
Wikipedia
 
.
facebook google + youtube linkedin twitter
Tous droits réservés © 2018
IGBT HGTP20N60A4 ("SGH80N60UFD")
SGH80N60UFD, igbt, igbt vente, semi-conducteurs, semi-conducteurs vente

Utilisation de cookies

Nous utilisons des cookies propres et de tiers pour faciliter la navigation. En poursuivant la navigation, nous comprenons que notre Politique de cookie.