Transistor IGBT
Fabricant : ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Type de transistor : IGBT
Tension collecteur-émetteur : 650V
Courant collecteur : 5A
Puissance dissipée : 10W
Encapsulation : TO220F
Tension entrée-émetteur : ±30V
Courant de surtension du collecteur : 15 A
Charge de grille : 14 nC
Temps de connexion : 21 ns
Temps de déconnexion : 157 ns
Tension de saturation collecteur-émetteur : 1,87 V
Alimentation d'arrêt : 0,12 mJ
Alimentation d'énergie d'allumage : 0,09 mJ