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25 µm, revêtement de 300 nm
La plaquette de dioxyde de silicium, également appelée plaquette d'oxyde thermique, est produite à des températures élevées.
L'oxyde thermique est généralement élaboré dans un four tubulaire horizontal, à une température comprise entre 900 °C et 1200 °C.
L'oxyde thermique est un type de couche d'oxyde « cultivée » qui, par rapport à une couche d'oxyde déposée par CVD, présente une meilleure uniformité et une rigidité diélectrique supérieure ; il constitue donc une excellente couche diélectrique isolante.
Dans la plupart des dispositifs à base de silicium, la couche d'oxyde thermique joue un rôle important en conditionnant la surface du silicium ; elle agit comme une barrière au dopage et comme un diélectrique de surface.
Elle permet d'obtenir une excellente uniformité d'épaisseur ainsi qu'une grande pureté.
Il s'agit donc de la méthode privilégiée pour produire des couches minces de dioxyde de silicium de haute qualité.
Les couches d'oxyde plus épaisses sont généralement produites par oxydation humide, procédé au cours duquel la vitesse de croissance augmente de manière significative.
