Tecnologia da série E de 4ª geração
Baixa figura de mérito (FOM) Ron x Qg
Baixa capacitância efetiva (Co (er))
Perdas de comutação e condução reduzidas
Polaridade do transistor: Canal N
Vds (tensão de separação da fonte de drenagem): 600 V
Id: corrente de drenagem contínua: 14 A
Rds on (fonte de drenagem em resistência): 80 mOhms
Vgs (tensão porta-fonte): - 30 V, + 30 V
Vgs th (tensão limite porta-fonte): 5 V
Temperatura mínima de operação: - 55 ºC
Temperatura máxima de operação: + 150 ºC
Pd (dissipação de potência): 35 W
Cápsula: TO-220FP-3