Tipo de Transistor: N-MOSFET
Tecnologia: HEXFET®
Polarização: unipolar
Tensão da fonte de drenagem: 55V
Corrente de dreno: 110A
Potência dissipada: 310W
Tensão da fonte de porta: ± 20V
Resistência no estado de transferência: 5,3 mOhms
Montagem: THT
Carga da porta: 180 nC
Encapsulamento: TO-247