TRANSISTOR IRFBG30 ("IRFBG30","irf-BG30","irf BG30")
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    TRANSISTOR IRFBG30

    Ref. SMTRIRFBG30

    TRANSISTOR IRFBG30
    Disponible Disponível
     
    Quantidade
    Características
    MOSFET N 1KV 3,1A TO-220
    Polaridade do transistor: Canal N
    Índice de corrente de drenagem contínua: 3.1 A
    Tensão de drenagem-fonte (Vds): 1 Kv
    Resistência em estado condutor Rds (ligado): 5 Ohms
    Tensão Vgs de teste Rds (ligado): 10 V
    Limite de tensão Vgs: 4 V
    Dissipação potêncoa Pd: 125 W
    Encapsulamento: TO-220
    Número de pinos: 3 Pinos
    Temperatura operacional máxima: 150°C
     
     
    Especificações
    Encapsulamento: TO-220
    Preço
    I.V.A. NÃO INCLUÍDO
    1.24
    PREÇO ESPECIAL 1.05€ (Para quantidades superiores a 25 Unid.)
    PREÇO ESPECIAL 0.90€ (Para quantidades superiores a 100 Unid.)
    Wikipedia

    Semiconductor
    Transistor
       
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