Transistor IRFBG30 - N MOSFET 1K V 3,1 A TO-220 ("IRFBG30","irf-BG30","irf BG30")
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Transistor IRFBG30 - N MOSFET 1K V 3,1 A TO-220

Ref. SMTRIRFBG30

Transistor IRFBG30 - N MOSFET 1K V 3,1 A TO-220
Disponible Disponível
Estoque
Quantidade
49
Características

MOSFET N 1KV 3,1A TO-220

Polaridade do transistor: Canal N

Índice de corrente de drenagem contínua: 3.1 A

Tensão de drenagem-fonte (Vds): 1 Kv

Resistência em estado condutor Rds (ligado): 5 Ohms

Tensão Vgs de teste Rds (ligado): 10 V

Limite de tensão Vgs: 4 V

Dissipação potêncoa Pd: 125 W

Encapsulamento: TO-220

Número de pinos: 3 Pinos

Temperatura operacional máxima: 150°C

 
Especificações

Encapsulamento: TO-220

 
Preço
I.V.A. NÃO INCLUÍDO
1.24
PREÇO ESPECIAL 1.05€ (Para quantidades superiores a 25 Unid.)
PREÇO ESPECIAL 0.90€ (Para quantidades superiores a 100 Unid.)
Wikipedia

Semiconductor:

Transistor:

 
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