Tecnologia MOSFET do tipo FET de canal N (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss) 200 V
Corrente: consumo contínuo (Id) a 25 ºC 9,5 A (Tc)
Vgs(th) (máx.): em Id 4 V a 1 mA
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) em Vds 530 pF a 25 V
Dissipação de energia (máx.) 75 W (Tc)
Rds on (máx.) de acordo com Id, Vgs a 25 °C 400 mOhm a 6 A, 10 V
Temperatura operacional -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Encapsulamento: TO-220