Tecnologia MOSFET tipo FET de canal N (óxido metálico)
Tensão dreno-fonte (Vdss)= 200 V
Corrente: consumo contínuo (Id) a 25 ºC= 21 A (Tc)
Dissipação de potência (máx) 125 W (Tc)
Rds ligado (max) = 0,13 Ohm, Vgs = 10 V, Id = 13,5 A
Temperatura operacional -55°C ~ 150°C (TJ)
Encapsulamento: TO-220