Transistor, NPN, TO-18
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:20V
Typ Gain Bandwidth ft:150MHZ
Power Dissipation Pd:600mW
DC Collector Current:200mA
DC Current Gain hFE:200
Tipo de caixa:TO-18
Tensão IC hFE:2mA
Max Current Ic:0,1A
Max Current Ic Continuous a:0,1A
Max Power Dissipation Ptot:600mW
Max Voltage Vce Sat:0.25V
Min Gain Bandwidth ft:150MHZ
Min Hfe:110
Configuração de pinos:A
Potência de dissipação:0,6W
Tipo de Transistor:Bipolar@ * Tensão Vcbo:30V
Encapsulamento: TO-18