Por motivos de segurança, a sua conta necessita de ser verificada.
Enviamos um e-mail com um link de verificação que estará ativo durante 30 minutos.
Caso não receba o e-mail, verifique a sua caixa de spam para tentar localizá-lo.
Tem certeza. Esta ação não pode ser desfeita.
Ficha técnica
Transistor: canal N
Intensidade drenado: 200mA
Tensión Vds: 60V
RdsON: 1,2 Ohmios
Vgs: 10V en on
Vgs umbral: 2,1V
Pd: 400mW
Encapsulamento: TO92
Disponível
