Estoque | Quantidade | |
---|---|---|
11 |
Transistor, NPN, TO-3
Polaridade do Transistor:NPN
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage:60V
Power Dissipation Pd:115W
DC Collector Current:15A
DC Current Gain hFE:70
Transistor Case Style:TO-3
N.º of Pins:2
Tipo caixa:TO-3
Tensão IC hFE:10A
Full Power Rating Temperature:25?C
Max Current Ic:15A
Max Current Ic Continuous a:15A
Max Power Dissipation Ptot:115W
Max Voltage Vce Sat:1V
Min Gain Bandwidth ft:3MHZ
Min Hfe:5
Potência de dissipação: 115W
Tipo terminais: Buraco pasante
Tipo Transistor:Bipolar
Tensão Vcbo:100V
Encapsulamento: TO3