Transistor IGBT
Fabricante: IXYS
Tipo de transistor: IGBT
Tecnologia: GenX3™, Planar, XPT™
Tensão coletor-emissor: 900V
Corrente do coletor: 60A
Dissipação de energia: 750W
Encapsulamento: TO247
Entrada - tensão do emissor: ±20V
Corrente do coletor de impulso: 310A
Carga da porta: 107nC
Tempo de conexão: 104ns
Tempo de desconexão: 268ns