Transistor IGBT
Fabricante: ALPHA & OMEGA SEMICONDUTOR
Tipo de transistor: IGBT
Tensão coletor-emissor: 650V
Corrente do coletor: 5A
Potência dissipada: 10W
Encapsulamento: TO220F
Tensão de entrada-emissor: ±30V
Corrente de pico do coletor: 15A
Carga do portão: 14nC
Tempo de conexão: 21ns
Tempo de desconexão: 157ns
Tensão de saturação coletor-emissor: 1,87V
Fonte de alimentação de desligamento: 0,12 mJ
Fonte de energia de ignição: 0,09mJ