Stock | Quantité | |
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5 |
Type de transistor: N-MOSFET
Technologie: HEXFET®
Polarisation: unipolaire
Tension drain-source: 55V
Courant drain: 110A
Puissance dissipée: 310W
Tension grille-source: ± 20V
Résistance à l'état de transfert: 5,3 mOhms
Montage: THT
Charge de la porte: 180 nC
Boîtier: TO-247