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Transistor IGBT
Fabricant : IXYS
Type de transistor : IGBT
Technologie : GenX3™, Planar, XPT™
Tension collecteur-émetteur : 900 V
Courant de collecteur : 60 A
Dissipation de puissance : 750 W
Encapsulation : TO247
Entrée - tension d'émetteur : ±20 V
Courant de collecteur d'impulsion : 310 A
Charge de grille : 107 nC
Temps de connexion : 104 ns
Temps de déconnexion : 268 ns