Quantité | ||
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IGBT
Type de transistor: IGBT
Courant de collecteur DC: 40A (25°C)
Tension d'émetteur collecteur Vces: 2,7 V
Dissipation de puissance Pd: 290 W
Tension d'émetteur collecteur V (br) ceo: 600 V
Plage de température de fonctionnement: -55°C à +150°C
Boîtier: TO-220