Transistor IGBT
Fabricant : TOSHIBA
Type de transistor : IGBT
Tension collecteur-émetteur : 600 V
Courant de collecteur : 15 A
Puissance dissipée : 30 W
Encapsulation : TO220FP
Tension d'entrée-émetteur : ±25 V
Courant de collecteur de courant en impulsion : 60A
Temps de connexion : 180ns
Temps de déconnexion : 320ns