Ces diodes plates au silicium épitaxiées sont conçues pour des applications dans des équipements multicanaux fonctionnant à très haut débit
Elles sont scellées hermétiquement dans des boîtiers TO5 ou TO18
L'excellente conductivité thermique des diodes permet un fonctionnement jusqu'à 400mW
Température de stockage : -55 ºC à +200 ºC
Température de fonctionnement maximale : +175 ºC
Dissipation totale à 25 ºC : 0,4 W
Tension maximale à 25 ºC : 40 V
Courant continu maximal : 0,3 A
Courant redressé moyen : 0,2 A
Courant d'impulsion : 1 A