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El transistor TN0110 de bajo umbral y modo de enriquecimiento (normalmente apagado) utiliza una estructura DMOS vertical y un proceso de fabricación de puerta de silicio de eficacia probada.
Esta combinación da como resultado un dispositivo con la capacidad de manejo de potencia de los transistores bipolares y la alta impedancia de entrada y el coeficiente de temperatura positivo propios de los dispositivos MOS.
Como es característico de todas las estructuras MOS, este dispositivo está libre de fugas térmicas y rupturas secundarias inducidas térmicamente.
Los FET DMOS verticales de Microchip son ideales para una amplia gama de aplicaciones de conmutación y amplificación donde se requieren voltajes de umbral muy bajos, alto voltaje de ruptura, alta impedancia de entrada, baja capacitancia de entrada y altas velocidades de conmutación.
