Doble transistor mosfet, canal N
Tipo de transistor: N-MOSFET x2
Tecnología: PowerTrench®
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 6A
Poder disipado: 2W
Capsula: SO8
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de transferencia: 43mΩ
Carga de puerta: 11nC
Clase de canal: enriquecido