Está seguro. Esta acción no se podrá deshacer.
Ficha técnica
Transistor: canal N
Intensidad drenador: 200mA
Tensión Vds: 60V
RdsON: 1,2 Ohmios
Vgs: 10V en on
Vgs umbral: 2,1V
Pd: 400mW
Cápsula: TO-92