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IGBT SGH80N60UFDTU

Ref. SMITSGH80N60

IGBT SGH80N60UFDTU
Disponible Disponible
Stock
Cantidad
5
Características
IGBT

Tipo de transistor: IGBT

DC Collector Current: 80A

Collector Emitter Voltage Vces: 2,6V

Power Dissipation Pd: 195W

Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V

Operating Temperature Range: -55 °C a +150 °C

Transistor Case Style: TO-3PN

Current Ic Continuous a Max: 80A

Current Temperature: 25°C

Marcador: SGH80N60UFDTU

Fall Time tf: 50ns

Full Power Rating Temperature: 25°C

N.º of Transistors: 1

Package / Case: TO-3P

Formato de pin: GCE

Power Dissipation Max: 195W

Power Dissipation Pd: 195W

Power Dissipation Pd: 195W

Power Dissipation Ptot Max: 195W

Pulsed Current Icm: 220A

Tiempo de subida: 50ns

Tipo de terminación: Agujero pasante

Polaridad del transistor: Canal N

Voltage Vces: 600V

 
Especificaciones
Encapsulado: TO-3PN

 

Ficha técnica

Precio
I.V.A INCLUIDO
10.65
PRECIO ESPECIAL 9.05€ (Para cantidades superiores a 10 uds.)
PRECIO ESPECIAL 7.45€ (Para cantidades superiores a 50 uds.)
Wikipedia

Semiconductor:

IGBT:

 
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IGBT SGH80N60UFDTU ("SGH80N60UFD")
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