IGBT SGH80N60UFDTU ("SGH80N60UFD")
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    IGBT SGH80N60UFDTU

    IGBT SGH80N60UFDTU

    Ref. SMITSGH80N60

    IGBT SGH80N60UFDTU
    Disponible Disponible
     
    Cantidad
    Características
    IGBT
    Tipo de transistor: IGBT
    DC Collector Current: 80A
    Collector Emitter Voltage Vces: 2,6V
    Power Dissipation Pd: 195W
    Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600V
    Operating Temperature Range: -55 °C a +150 °C
    Transistor Case Style: TO-3PN
    Current Ic Continuous a Max: 80A
    Current Temperature: 25°C
    Marcador: SGH80N60UFDTU
    Fall Time tf: 50ns
    Full Power Rating Temperature: 25°C
    N.º of Transistors: 1
    Package / Case: TO-3P
    Formato de pin: GCE
    Power Dissipation Max: 195W
    Power Dissipation Pd: 195W
    Power Dissipation Pd: 195W
    Power Dissipation Ptot Max: 195W
    Pulsed Current Icm: 220A
    Tiempo de subida: 50ns
    Tipo de terminación: Agujero pasante
    Polaridad del transistor: Canal N
    Voltage Vces: 600V
     
     
    Especificaciones
    Encapsulado: TO-3PN

    Ficha técnica

    Precio
    I.V.A NO INCLUIDO
    8.80
    PRECIO ESPECIAL 7.48€ (Para cantidades superiores a 10 uds.)
    PRECIO ESPECIAL 6.16€ (Para cantidades superiores a 50 uds.)
    Wikipedia

    Semiconductor|IGBT
       
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