Tensión de retorno máx: 100V
Corriente conductiva junto al If: 1V
Corriente conductiva: 0.3A
Corriente conductiva máx: 400mA
Potencia: 500mW
Estructura del semiconductor: diodo individual
Capacidad: 2pF Tiempo de disponibilidad: 4ns
Corriente en impulso max: 4A
Encapsulado: DO-35