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El DSO-LCR500 combines the advantages of a digital oscilloscope and a multifunctional component tester in a compact and high-quality case. With the help of the digital oscilloscope, ambitious tinkerers can evaluate time-dependent signals without having to resort to expensive measurement technology.
The multifunctional component tester also allows fast and automatic detection of components. Furthermore, the DSO-LCR500 has additional helpful functions such as a signal generator, an infrared signal decoder and measurement of Zener diodes, DS18B20 sensors and DHT11 sensors.
The device is equipped with a 1500 mAh rechargeable battery, which can be conveniently charged via USB-C. The integrated, fold-out stand additionally eases the operation.
Características:
Osciloscopio digital,
Probador de componentes,
Probador de continuidad,
Generador de señales,
Medición de diodos zener,
Medición de sensores DS18B20,
Mediciones de sensores DHT11,
Decodificador de infrarrojos
Artículos enviados: JT-DSO-LCR500, guía del usuario, cable USB-C, 3 x clip de prueba, 3 x sondas de prueba SMD, sonda, cable de clip de cocodrilo, adaptador BNC
Fuente de alimentación:
Batería de litio de 1500 mAh, recargable mediante USB-C
Osciloscopio:
Ancho de banda: 500 KHz
Sensibilidad vertical: 10 mV/Div - 10 V/Div
Pantalla: pantalla en color TFT de 2,4“, retroiluminación LED, 320x240 píxeles
Tasa de muestreo: 10 MS/s
Resistencia de entrada: 1 MΩ
Acoplamiento: CA / CC
Rango de voltaje de prueba: 1:1 80 Vpp (-40V-40V) - 10:1: 800Vpp (-400V - 400V)
Base de tiempo horizontal: 10 μs - 10 s
Modos de disparo: Automático, normal, simple
Tipos de disparo: flanco descendente, flanco ascendente
Generador de señal:
Onda sinusoidal: 1 - 100 kHz, 0 - 3,3 V, 50%
Onda cuadrada: 1 - 100 kHz, 3,3 V, 50%
Onda de pulso: 1 - 100 kHz, 3,3 V, 0 - 100%
Onda triangular: 1 - 100 kHz, 0 - 3,3 V, 50%
Onda de rampa: 1 - 100 kHz, 0 - 3,3 V, 0 - 100%
Señal CC: 0 - 3,3 V
Probador multifunción:
Mediciones de transistores (HFE z10, HFE < 600): Amplificación (hFE), tensión base-emisor (Ube), corriente de corte inversa colector-emisor (Iceo, Ices), diodo de protección directa, caída de tensión (Uf )
Mediciones de diodos (caída de tensión directa < 5 V): Caída de tensión directa, capacitancia de unión, corriente de fuga inversa
Mediciones de diodos Zener (rango de prueba 1-2-3: 0,01 - 4,5 V. Prueba K-A-A rango: 0,01-24 V): 1-2-3: Caída de tensión directa, tensión de ruptura inversa, K-A-A: tensión de ruptura inversa
Mediciones de transistores de efecto de campo (JFET, IGBT, MOSFET): JFET: Capacitancia de puerta (Cg ), corriente de drenaje (Id en Vgs), caída de tensión directa del diodo de protección (Uf) IGBT: corriente de drenaje (Id en Vgs), caída de tensión directa del diodo de protección (Uf) MOSFET: tensión de encendido (Vt), capacitancia de puerta (Cg ), resistencia de fuente de drenaje (Rds), caída de voltaje directo del diodo de protección (Uf)
Mediciones de SCR y TRIAC (voltaje de encendido < 5 V, corriente de activación de puerta < 5 mA): voltaje de puerta
Mediciones de capacitores (25 pF - 100 mF): Capacidad, factor de pérdida (Vloss)
Mediciones de resistencia (10 μH - 1000 μH): Valor de inductancia, resistencia CC
Mediciones de batería ( 0,01 - 4,5 V: Valor de voltaje
Mediciones DS18B20: Temperatura
Mediciones DHT11: Temperatura y humedad
Decodificación de infrarrojos (protocolo NEC): muestra código de usuario y datos, muestra forma de onda infrarroja
Continuidad: prueba de continuidad, voltajes de hasta 40 V