Stock | Cantidad | |
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5 |
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: HEXFET®
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 55V
Corriente del drenaje: 110A
Poder disipado: 310W Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de transferencia: 5,3mO
Montaje: THT
Carga de puerta: 180nC
Encapsulado: TO-247