Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: HEXFET®
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 55V
Corriente del drenaje: 72A
Poder disipado: 130W Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de transferencia: 12mO
Montaje: THT
Carga de puerta: 86.7nC
Encapsulado: TO-247